Numărul de produs al producătorului:
IPI070N08N3 G
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI070N08N3 G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12801015
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI070N08N3 G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 73µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3840 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI070N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPI070N08N3 G-DG
IPI070N08N3G
SP000454290
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS83PE6327
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
IPD65R660CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3